超炫酷的网站,网络营销推广要求,WordPress评论制作,做销售如何在网站上搜集资料在设计放大器的第一步就是确定好晶体管参数和直流工作点的选取。通过阅读文献，我了解到L波段低噪声放大器的mos器件最优宽度计算公式为 W o p t . p 3 2 1 ω L C o x R s Q s p W_{opt.p}\frac{3}{2}\frac{1}{\omega LC_{ox}R_{s}Q_{sp}} Wopt.p23ωLCoxRs…
在设计放大器的第一步就是确定好晶体管参数和直流工作点的选取。
通过阅读文献，我了解到L波段低噪声放大器的mos器件最优宽度计算公式为 W o p t . p = 3 2 1 ω L C o x R s Q s p W_{opt.p}=\frac{3}{2}\frac{1}{\omega LC_{ox}R_{s}Q_{sp}} Wopt.p=23ωLCoxRsQsp1
根据设计指标我们得知，L波段的中心频率为1.3GHz，取 ω 0 = 1.3 G H z , R s = 50 Ω , γ = 2 , δ = 4 , α = 1 , V d d = 1.2 V , L = 0.13 u m , E s a t = 4 × 1 0 6 V / m \omega_{0}=1.3\mathrm{GHz},R_{s}=50\Omega,\gamma=2,\delta=4,\quad\alpha=1,\quad V_{dd}=1.2\mathrm{V},\quad L=0.13\mathrm{um},\quad Esat=4\times10^{6}\mathrm{V/m} ω0=1.3GHz,Rs=50Ω,γ=2,δ=4,α=1,Vdd=1.2V,L=0.13um,Esat=4×106V/m
然后根据单位面积栅氧化层电容公式 C o x = ϵ o x t o x C_{ox}=\frac{\epsilon_{ox}}{t_{ox}} Cox=toxϵox
其中 ϵ o x \epsilon_{ox} ϵox是 SiO₂ 的介电常数，通常取值： ϵ o x = 3.9 × ϵ 0 = 3.9 × 8.854 × 1 0 − 12 F / m ≈ 3.45 × 1 0 − 11 F / m \epsilon_{ox}=3.9\times\epsilon_0=3.9\times8.854\times10^{-12}\mathrm{F/m}\approx3.45\times10^{-11}\mathrm{F/m} ϵox=3.9×ϵ0=3.9×8.854×10−12F/m≈3.45×10−11F/m
tox是氧化层厚度，取决于 CMOS 工艺节点。例如： ∙ t o x ≈ 2 n m = 2 × 1 0 − 9 m ( 65 n m 工艺 ) \bullet\quad t_{ox}\approx2\mathrm{nm}=2\times10^{-9}\mathrm{m}(65\mathrm{nm}\text{工艺}) ∙tox≈2nm=2×10−9m(65nm工艺) ∙ t o x ≈ 1.5 n m = 1.5 × 1 0 − 9 m ( 45 n m 工艺 ) \bullet\quad t_{ox}\approx1.5\mathrm{nm}=1.5\times10^{-9}\mathrm{m}(45\mathrm{nm}\text{工艺}) ∙tox≈1.5nm=1.5×10−9m(45nm工艺) ∙ t o x ≈ 1.2 n m = 1.2 × 1 0 − 9 m ( 32 n m 工艺 ) \bullet\quad t_{ox}\approx1.2\mathrm{nm}=1.2\times10^{-9}\mathrm{m}(32\mathrm{nm}\text{工艺}) ∙tox≈1.2nm=1.2×10−9m(32nm工艺)
最终可得 C o x = 3.45 × 1 0 − 11 2.5 × 1 0 − 9 = 1.38 × 1 0 − 2 F / m 2 C_{ox}=\frac{3.45\times10^{-11}}{2.5\times10^{-9}}=1.38\times10^{-2}\mathrm{F/m}^{2} Cox=2.5×10−93.45×10−11=1.38×10−2F/m2
