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一、ds18b20
1.使用DS18B20，半双工串行通讯方式
2.P37引脚结构图：
上拉电阻： 把一个信号通过一个电阻接到电源(Vcc)；
下拉电阻： 把一个信号通过一个电阻接到地(GND)。
作用：维持输入管脚是一个稳态：当上拉和下拉电阻都不开启时，GPIO引脚处于浮空模式，此时引脚的电压是不确定的，可能会随时间改变。
3.两个或多个输出信号连接在一起可以实现逻辑“与”的功能。
拉高的过程为释放总线的过程；
接收方一定要释放总线，来实现接收数据；
上拉电阻：保证双方释放总线后，总线能够呈现高电平；
4.ds18b20通讯时序：
初始化（复位）--- 写操作 --- 读操作 --- 获取温度
1）初始化
代码：
#define DQ_SET (P3 |= (1 << 7))
#define DQ_CLEAR (P3 &= ~(1 << 7))
#define DQ_TST ((P3 & (1 << 7)) != 0)int ds18b20_reset(void)
{int t;DQ_CLEAR;Delay10us(70);DQ_SET;Delay10us(5);t = 0; while(DQ_TST && t < 30){Delay10us(1);++t;}if(t >= 30){return 0; }t = 0; while(!DQ_TST && t < 30){Delay10us(1);++t;}if(t >= 30){return 0;}return 1;
}
2）写入操作
代码：
void write_ds18b20(unsigned char date)
{int i;for(i = 0; i < 8; ++i){if(date & 1){DQ_CLEAR;_nop_();_nop_();DQ_SET;Delay10us(5); }else{DQ_CLEAR;Delay10us(5);DQ_SET; }date >>= 1;}
}3）读操作：
代码：
unsigned char read_ds18b20(void)
{unsigned char ret = 0;int i;for(i = 0; i < 8; ++i){DQ_CLEAR;_nop_();_nop_();DQ_SET; _nop_();_nop_();_nop_();if(DQ_TST){ret |= (1 << i);}Delay10us(5); }return ret;
}4）温度获取
代码：
float get_temp(void)
{unsigned char tl;unsigned char th;short ret;ds18b20_reset();write_ds18b20(0XCC);write_ds18b20(0X44);Delay1ms(1000);ds18b20_reset();write_ds18b20(0XCC);write_ds18b20(0XBE);tl = read_ds18b20();th = read_ds18b20();ret = th << 8;ret |= tl;return ret * 0.0625;
}二、ARM硬件
1.soc：片上芯片
2.GPIO：控制soc外部引脚的高低电平
3.kernel要与外设间建立联系（BUS总线）
BUS总线分为AHB总线（先进的高速设备）和APB总线（先进的低俗设备）
三、ARM内核概念
1.R0~R12：通用寄存器（内设寄存器不可寻址）
2.ALU：算术逻辑单元
3.SP：栈指针寄存器（在硬件物理层的指针，来管理栈区）
4.PC：程序计数器，PC指到哪，程序就执行到哪
PC一定会从地址0取一个指令开始执行
ARM有32位，每一个指令有4个字节
5.LR：链接寄存器
6.MMU：memory management unit，内存管理单元（内存映射）
7.Cache：高速缓存，可以提高系统运行速率
iCache：指令Cache
dCache：数据Cache，所以ARM是哈弗结构
内核编程中，打开iCache，通常关闭dCache
8.CPSR：程序状态寄存器
9.SPSR：程序状态保护寄存器
10.ARM简介
ARM Cortex A(应用于消费类电子产品)
M(应用于微控制器MAU方向，如STM32)
R(应用于实时性方向，如军事，通信)
ARM的指令集版本：
ARM V4
ARM V5
ARM V7
11.编译流程步骤：
